WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED
WL-SUTW SMT Ultraviolet Top LED Waterclear
WL-SUTW SMT Ultraviolet Top LED Waterclear
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
λPeak typ.(nm)
Φe min.(mW)
Φe typ.(mW)
Φe max.(mW)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
Produktserie
Muster
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED275 nm, 1.5 mW, 3 mW
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]275 nm
Strahlungsfluss [min.]1.5 mW
Strahlungsfluss [typ.]3 mW
Durchlassspannung [typ.]6.5 V
ChiptechnologieAlGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED275 nm, 8 mW, 15 mW
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]275 nm
Strahlungsfluss [min.]8 mW
Strahlungsfluss [typ.]15 mW
Durchlassspannung [typ.]6 V
ChiptechnologieAlGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED275 nm, 13 mW, 20 mW
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]275 nm
Strahlungsfluss [min.]13 mW
Strahlungsfluss [typ.]20 mW
Durchlassspannung [typ.]6 V
ChiptechnologieAlGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED275 nm, 40 mW, 50 mW
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]275 nm
Strahlungsfluss [min.]40 mW
Strahlungsfluss [typ.]50 mW
Durchlassspannung [typ.]6 V
ChiptechnologieAlGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED365 nm, 700 mW, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]365 nm
Strahlungsfluss [min.]700 mW
Strahlungsfluss [max.]1300 mW
Durchlassspannung [typ.]3.8 V
ChiptechnologieAlInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED365 nm, 30 mW, 50 mW
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]365 nm
Strahlungsfluss [min.]30 mW
Strahlungsfluss [typ.]50 mW
Strahlungsfluss [max.]90 mW
Durchlassspannung [typ.]3.6 V
ChiptechnologieAlInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED385 nm, 800 mW, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]385 nm
Strahlungsfluss [min.]800 mW
Strahlungsfluss [max.]1300 mW
Durchlassspannung [typ.]3.5 V
ChiptechnologieAlInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED385 nm, 50 mW, 90 mW
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]385 nm
Strahlungsfluss [min.]50 mW
Strahlungsfluss [typ.]90 mW
Strahlungsfluss [max.]130 mW
Durchlassspannung [typ.]3.4 V
ChiptechnologieGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED395 nm, 800 mW, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]395 nm
Strahlungsfluss [min.]800 mW
Strahlungsfluss [max.]1300 mW
Durchlassspannung [typ.]3.5 V
ChiptechnologieAlInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED395 nm, 80 mW, 140 mW
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]395 nm
Strahlungsfluss [min.]80 mW
Strahlungsfluss [typ.]140 mW
Strahlungsfluss [max.]190 mW
Durchlassspannung [typ.]3.4 V
ChiptechnologieGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED405 nm, 800 mW, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]405 nm
Strahlungsfluss [min.]800 mW
Strahlungsfluss [max.]1300 mW
Durchlassspannung [typ.]3.5 V
ChiptechnologieAlInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 °
WL-SUMW SMT Ultraviolet Ceramic LED405 nm, 80 mW, 140 mW
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.]405 nm
Strahlungsfluss [min.]80 mW
Strahlungsfluss [typ.]140 mW
Strahlungsfluss [max.]190 mW
Durchlassspannung [typ.]3.4 V
ChiptechnologieGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °