 | | 275 nm, 1.5 mW, 3 mW | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]275 nm | Strahlungsfluss [min.]1.5 mW | Strahlungsfluss [typ.]3 mW | – | Durchlassspannung [typ.]6.5 V | ChiptechnologieAlGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |
 | | 275 nm, 8 mW, 15 mW | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]275 nm | Strahlungsfluss [min.]8 mW | Strahlungsfluss [typ.]15 mW | – | Durchlassspannung [typ.]6 V | ChiptechnologieAlGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |
 | | 275 nm, 13 mW, 20 mW | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]275 nm | Strahlungsfluss [min.]13 mW | Strahlungsfluss [typ.]20 mW | – | Durchlassspannung [typ.]6 V | ChiptechnologieAlGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |
 | | 275 nm, 40 mW, 50 mW | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]275 nm | Strahlungsfluss [min.]40 mW | Strahlungsfluss [typ.]50 mW | – | Durchlassspannung [typ.]6 V | ChiptechnologieAlGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |
 | | 365 nm, 700 mW, – | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]365 nm | Strahlungsfluss [min.]700 mW | – | Strahlungsfluss [max.]1300 mW | Durchlassspannung [typ.]3.8 V | ChiptechnologieAlInGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 ° | | |
 | | 365 nm, 30 mW, 50 mW | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]365 nm | Strahlungsfluss [min.]30 mW | Strahlungsfluss [typ.]50 mW | Strahlungsfluss [max.]90 mW | Durchlassspannung [typ.]3.6 V | ChiptechnologieAlInGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |
 | | 385 nm, 800 mW, – | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]385 nm | Strahlungsfluss [min.]800 mW | – | Strahlungsfluss [max.]1300 mW | Durchlassspannung [typ.]3.5 V | ChiptechnologieAlInGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 ° | | |
 | | 385 nm, 50 mW, 90 mW | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]385 nm | Strahlungsfluss [min.]50 mW | Strahlungsfluss [typ.]90 mW | Strahlungsfluss [max.]130 mW | Durchlassspannung [typ.]3.4 V | ChiptechnologieGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |
 | | 395 nm, 800 mW, – | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]395 nm | Strahlungsfluss [min.]800 mW | – | Strahlungsfluss [max.]1300 mW | Durchlassspannung [typ.]3.5 V | ChiptechnologieAlInGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 ° | | |
 | | 395 nm, 80 mW, 140 mW | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]395 nm | Strahlungsfluss [min.]80 mW | Strahlungsfluss [typ.]140 mW | Strahlungsfluss [max.]190 mW | Durchlassspannung [typ.]3.4 V | ChiptechnologieGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |
 | | 405 nm, 800 mW, – | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]405 nm | Strahlungsfluss [min.]800 mW | – | Strahlungsfluss [max.]1300 mW | Durchlassspannung [typ.]3.5 V | ChiptechnologieAlInGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 ° | | |
 | | 405 nm, 80 mW, 140 mW | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Spitzen-Wellenlänge [typ.]405 nm | Strahlungsfluss [min.]80 mW | Strahlungsfluss [typ.]140 mW | Strahlungsfluss [max.]190 mW | Durchlassspannung [typ.]3.4 V | ChiptechnologieGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |