Design Kit WE-PD2 SMT-Speicherdrosseln 1054/7850

Artikel Nr. 744775

Anwendung

  • Schaltregler im Bereich kleiner Betriebsspannungen (Grafikkarten, embedded PC-Karten, Mainboards)
  • Integrierte DC-/DC-Wandler
  • Optimale Dämpfung im MHz Frequenzbereich

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L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
Bauform
Muster
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.3 A
Sättigungsstrom2.95 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.98 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.98 A
Sättigungsstrom3.24 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 2.18 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 µH
Nennstrom2.18 A
Sättigungsstrom2.2 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.93 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.93 A
Sättigungsstrom2.23 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 1.89 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Nennstrom1.89 A
Sättigungsstrom2.14 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 2.36 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Nennstrom2.36 A
Sättigungsstrom2.43 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.76 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.76 A
Sättigungsstrom1.81 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 2.04 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom2.04 A
Sättigungsstrom2.07 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 1.48 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Nennstrom1.48 A
Sättigungsstrom1.62 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 1.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Nennstrom1.95 A
Sättigungsstrom1.98 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom1.35 A
Sättigungsstrom1.47 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.78 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom1.78 A
Sättigungsstrom1.89 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.17 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom1.17 A
Sättigungsstrom1.24 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom1.45 A
Sättigungsstrom1.62 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 56 µH, 1.04 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 µH
Nennstrom1.04 A
Sättigungsstrom1.14 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 0.99 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom0.99 A
Sättigungsstrom1.05 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 1.19 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom1.19 A
Sättigungsstrom1.49 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 82 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 µH
Nennstrom0.9 A
Sättigungsstrom0.95 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 82 µH, 1.11 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 µH
Nennstrom1.11 A
Sättigungsstrom1.17 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.77 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Nennstrom0.77 A
Sättigungsstrom0.86 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 1.02 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Nennstrom1.02 A
Sättigungsstrom1.1 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 120 µH, 0.94 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 µH
Nennstrom0.94 A
Sättigungsstrom0.99 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Nennstrom0.6 A
Sättigungsstrom0.71 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 0.81 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Nennstrom0.81 A
Sättigungsstrom0.9 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 180 µH, 0.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 µH
Nennstrom0.55 A
Sättigungsstrom0.57 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 180 µH, 0.76 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 µH
Nennstrom0.76 A
Sättigungsstrom0.78 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.51 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Nennstrom0.51 A
Sättigungsstrom0.56 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.67 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Nennstrom0.67 A
Sättigungsstrom0.77 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 270 µH, 0.47 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 µH
Nennstrom0.47 A
Sättigungsstrom0.51 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.43 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 µH
Nennstrom0.43 A
Sättigungsstrom0.48 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.52 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 µH
Nennstrom0.52 A
Sättigungsstrom0.59 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.36 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Nennstrom0.36 A
Sättigungsstrom0.38 A
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.44 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Nennstrom0.44 A
Sättigungsstrom0.5 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 680 µH, 0.36 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 µH
Nennstrom0.36 A
Sättigungsstrom0.43 A
Bauform1054 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 820 µH, 0.32 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität820 µH
Nennstrom0.32 A
Sättigungsstrom0.41 A
Bauform1054