Leistungshalbleiter-Bauelemente mit großer Bandlücke wie Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs erfreuen sich wachsender Beliebtheit in vielen modernen Anwendungen wie E-Mobilität oder erneuerbare Energien. Ihre extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit trägt dazu bei, die Effizienz zu erhöhen sowie die Baugröße und Kosten des Systems insgesamt zu reduzieren. Allerdings stellt das schnelle Schalten in Verbindung mit typisch hohen Betriebsspannungen und steigenden Schaltfrequenzen große Herausforderungen an das Gate-Treibersystem dar. Eine robuste galvanische Trennung, Einhaltung von Sicherheitsstandards, Störfestigkeit des Steuersignals und die Einhaltung der EMV sind nur einige der wichtigsten Aspekte, die es zu berücksichtigen gilt. Ein optimales Design der isolierten Stromversorgung, welche die Spannungen zur Ansteuerung des SiC/GaN-Bausteins liefert, ist entscheidend, damit die Gate-Treiberschaltung die vielen Anforderungen erfüllt, welche von modernen Anwendungen gestellt werden.
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